IXTP36N30P IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP36N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 36 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 323.21 грн |
| 10+ | 256 грн |
| 100+ | 219.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP36N30P IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP36N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 36 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarHT, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXTP36N30P за ціною від 152.33 грн до 349.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP36N30P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V |
на замовлення 1169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTP36N30P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTP36N30P | Виробник : IXYS |
MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds |
на замовлення 3245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTP36N30P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTP36N30P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTP36N30P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 36A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTP36N30P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 36A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns |
товар відсутній |