IXTP3N50D2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1070 pF @ 25 V
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 300.43 грн |
| 50+ | 228.75 грн |
| 100+ | 196.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP3N50D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTP3N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 3A, TO-220AB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTP3N50D2 за ціною від 145.54 грн до 345.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP3N50D2 | Виробник : IXYS |
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A |
на замовлення 822 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTP3N50D2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTP3N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 3A, TO-220AB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTP3N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 1.07µC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 24ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTP3N50D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3A; 125W; TO220AB; 24ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 1.07µC Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 24ns |
товар відсутній |