Продукція > IXYS > IXTP60N20X4
IXTP60N20X4

IXTP60N20X4 IXYS


IXTP60N20X4_DS.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 (IXTP)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
на замовлення 1602 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+683.05 грн
50+ 525.16 грн
100+ 469.88 грн
500+ 389.09 грн
1000+ 350.18 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP60N20X4 IXYS

Description: MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 (IXTP), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP60N20X4 за ціною від 353.16 грн до 742.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP60N20X4 IXTP60N20X4 Виробник : IXYS media-3320538.pdf MOSFET 200V, 60A current capacity, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+742.86 грн
10+ 644.62 грн
50+ 476.4 грн
100+ 453.87 грн
250+ 426.7 грн
500+ 376.35 грн
1000+ 353.16 грн