IXTP76P10T IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 7818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 408.85 грн |
| 50+ | 314.69 грн |
| 100+ | 281.57 грн |
| 500+ | 233.15 грн |
| 1000+ | 209.84 грн |
| 2000+ | 196.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP76P10T IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTP76P10T - MOSFET, P-CH, 100V, 76A, TO-220AB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTP76P10T за ціною від 269.02 грн до 460.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP76P10T | Виробник : IXYS |
MOSFET MSFT P-CH TRENCH GATE |
на замовлення 209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP76P10T | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTP76P10T - MOSFET, P-CH, 100V, 76A, TO-220AB tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 76A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTP76P10T | Виробник : IXYS |
IXTP76P10T THT P channel transistors |
на замовлення 71 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
IXTP76P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
|||||||||||||
| IXTP76P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
IXTP76P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXTP76P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |