IXTQ26P20P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 300W
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 390.46 грн |
| 3+ | 289.23 грн |
| 8+ | 273.31 грн |
| 30+ | 269.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ26P20P IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ26P20P за ціною від 247.11 грн до 534.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTQ26P20P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P Mounting: THT Case: TO3P Kind of package: tube Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 0.17Ω Drain current: -26A Drain-source voltage: -200V Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 240ns Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 208 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTQ26P20P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V |
на замовлення 1109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTQ26P20P | Виробник : IXYS |
MOSFET -26.0 Amps -200V 0.170 Rds |
на замовлення 719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTQ26P20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товар відсутній |