IXTR20P50P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -13A; 190W; 406ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 406ns
Power dissipation: 190W
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -13A
On-state resistance: 490mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -13A; 190W; 406ns
Case: ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 406ns
Power dissipation: 190W
Gate charge: 103nC
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -13A
On-state resistance: 490mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 867.86 грн |
2+ | 649.15 грн |
4+ | 613.93 грн |
30+ | 602.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTR20P50P IXYS
Description: MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTR20P50P за ціною від 722.91 грн до 1041.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTR20P50P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -13A; 190W; 406ns Case: ISOPLUS247™ Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 406ns Power dissipation: 190W Gate charge: 103nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -500V Drain current: -13A On-state resistance: 490mΩ Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
IXTR20P50P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 500V 13A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247 |
товар відсутній |
||||||||||||
IXTR20P50P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 500V 13A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 490mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||
IXTR20P50P | Виробник : IXYS | MOSFET -13 Amps -500V 0.490 Rds |
товар відсутній |