IXTR40P50P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -22A; 312W; 477ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -22A
Power dissipation: 312W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 477ns
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -22A; 312W; 477ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -22A
Power dissipation: 312W
Case: ISOPLUS247™
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 477ns
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1230.18 грн |
2+ | 1079.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTR40P50P IXYS
Description: MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 312W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: ISOPLUS247™, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTR40P50P за ціною від 1345.56 грн до 1533.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTR40P50P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -22A; 312W; 477ns Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -22A Power dissipation: 312W Case: ISOPLUS247™ Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 205nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 477ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||
IXTR40P50P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 500V 22A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 312W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
IXTR40P50P | Виробник : IXYS | MOSFET -22.0 Amps -500V 0.260 Rds |
товар відсутній |