на замовлення 262 шт:
термін постачання 420-429 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1433.14 грн |
| 10+ | 1061.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT10N100D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 695W (Tc), Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT10N100D2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT10N100D2 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(2+Tab) D3PAK |
товар відсутній |
|
 |
IXTT10N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO268; 70ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A Power dissipation: 695W Case: TO268 On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 70ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXTT10N100D2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 695W (Tc) Supplier Device Package: TO-268AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXTT10N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO268; 70ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A Power dissipation: 695W Case: TO268 On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: depleted Reverse recovery time: 70ns |
товар відсутній |