на замовлення 300 шт:
термін постачання 567-576 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 904.28 грн |
| 10+ | 890.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT10P60 IXYS
Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT10P60
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTT10P60 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|
 |
IXTT10P60 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
|
 |
IXTT10P60 | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns Mounting: SMD Reverse recovery time: 0.5µs Case: TO268 Kind of package: tube Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 135nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -600V Drain current: -10A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXTT10P60 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO268 Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-268AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
IXTT10P60 | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -600V; -10A; 300W; TO268; 500ns Mounting: SMD Reverse recovery time: 0.5µs Case: TO268 Kind of package: tube Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Gate charge: 135nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: -600V Drain current: -10A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: P-MOSFET |
товар відсутній |