IXTT50P10 IXYS

Name: IXTT50P10
Brand: IXYS
SKU: 2296836-8
Price: 463.05 UAH
Availability: InStock

Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO268
Reverse recovery time: 180ns

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
1+	662.42 грн
2+	489.88 грн
5+	463.05 грн

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTT50P10 IXYS

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -50A, On-state resistance: 55mΩ, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 300W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 0.14µC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Case: TO268, Reverse recovery time: 180ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTT50P10 за ціною від 546.57 грн до 794.9 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

IXTT50P10

Виробник : IXYS

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -50A; 300W; TO268; 180ns
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -50A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 0.14µC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: TO268
Reverse recovery time: 180ns
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 17 шт:

термін постачання 7-14 дні (днів)