Продукція > IXYS > IXTT90P10P
IXTT90P10P

IXTT90P10P IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_90p10p_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+850.04 грн
30+ 662.48 грн
120+ 623.51 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTT90P10P IXYS

Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 462W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTT90P10P за ціною від 776.12 грн до 910.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTT90P10P IXTT90P10P Виробник : IXYS media-3320926.pdf MOSFET -90.0 Amps -100V 0.250 Rds
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+910.59 грн
10+ 776.12 грн
IXTT90P10P IXTT90P10P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTT90P10P IXTT90P10P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTT90P10P IXTT90P10P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_90p10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товар відсутній
IXTT90P10P IXTT90P10P Виробник : IXYS IXT_90P10P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Power dissipation: 462W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 144ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTT90P10P IXTT90P10P Виробник : IXYS IXT_90P10P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO268
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -90A
Power dissipation: 462W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 144ns
товар відсутній