IXTT90P10P IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 462W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 850.04 грн |
30+ | 662.48 грн |
120+ | 623.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTT90P10P IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 90A TO268, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 462W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-268AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTT90P10P за ціною від 776.12 грн до 910.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTT90P10P | Виробник : IXYS | MOSFET -90.0 Amps -100V 0.250 Rds |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||
IXTT90P10P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
IXTT90P10P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
IXTT90P10P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 100V 90A 3-Pin(2+Tab) TO-268 |
товар відсутній |
||||||||
IXTT90P10P | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO268 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -90A Power dissipation: 462W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 144ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||
IXTT90P10P | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -90A; 462W; TO268 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -90A Power dissipation: 462W Case: TO268 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 144ns |
товар відсутній |