на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5287.6 грн |
| 10+ | 4950.81 грн |
| 30+ | 4191.47 грн |
| 120+ | 3879.93 грн |
| 510+ | 3733.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTX6N200P3HV IXYS
Description: MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 960W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTX6N200P3HV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTX6N200P3HV | Виробник : IXYS |
 IXTX6N200P3HV THT N channel transistors |
товар відсутній |
||
 |
IXTX6N200P3HV | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 2000V 6A TO247PLUSHV Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 960W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247PLUS-HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V |
товар відсутній |