на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 350+ | 76.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY02N120P Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTY02N120P за ціною від 58.33 грн до 170.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY02N120P | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 104 pF @ 25 V |
на замовлення 18606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IXTY02N120P | Виробник : IXYS |
MOSFET 0.2Amps 1200V |
на замовлення 710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IXTY02N120P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.2A; 33W; TO252; 1.6us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 0.2A Power dissipation: 33W Case: TO252 On-state resistance: 75Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
IXTY02N120P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 0.2A; 33W; TO252; 1.6us Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 0.2A Power dissipation: 33W Case: TO252 On-state resistance: 75Ω Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs |
товар відсутній |