на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 276.45 грн |
| 10+ | 245.41 грн |
| 25+ | 201.95 грн |
| 70+ | 174.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY10P15T IXYS
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO252, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchP™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -150V, Drain current: -10A, Power dissipation: 83W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±15V, On-state resistance: 0.35Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 36nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 120ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTY10P15T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY10P15T | Виробник : IXYS |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -10A Power dissipation: 83W Case: TO252 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 120ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXTY10P15T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 150V 10A TO-252 |
товар відсутній |
|
|
|
IXTY10P15T | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -10A Power dissipation: 83W Case: TO252 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.35Ω Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 120ns |
товар відсутній |