IXTY18P10T IXYS
Виробник: IXYS
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 62ns
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 62ns
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 222.77 грн |
5+ | 185.82 грн |
6+ | 142.35 грн |
16+ | 134.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY18P10T IXYS
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO252, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TrenchP™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -18A, Power dissipation: 83W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±15V, On-state resistance: 0.12Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 39nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 62ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTY18P10T за ціною від 125.88 грн до 289.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTY18P10T | Виробник : IXYS |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO252 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -18A Power dissipation: 83W Case: TO252 Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 62ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 175 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTY18P10T | Виробник : IXYS | MOSFET -100V -18A |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTY18P10T | Виробник : IXYS | Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO252 |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|