Технічний опис IXTY1N100P Littelfuse
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO252; 750ns, Mounting: SMD, Power dissipation: 50W, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Drain current: 1A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: 1kV, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: tube, Case: TO252, On-state resistance: 15Ω, Reverse recovery time: 750ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTY1N100P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY1N100P | Виробник : IXYS |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO252; 750ns Mounting: SMD Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: standard power mosfet Drain current: 1A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1kV Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO252 On-state resistance: 15Ω Reverse recovery time: 750ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXTY1N100P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1A TO-252 |
товар відсутній |
|
 |
IXTY1N100P | Виробник : IXYS |
MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds |
товар відсутній |
|
|
|
IXTY1N100P | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1A; 50W; TO252; 750ns Mounting: SMD Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: standard power mosfet Drain current: 1A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 1kV Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO252 On-state resistance: 15Ω Reverse recovery time: 750ns |
товар відсутній |