на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 291.37 грн |
| 10+ | 241.53 грн |
| 25+ | 197.91 грн |
| 100+ | 168.97 грн |
| 250+ | 159.54 грн |
| 500+ | 154.16 грн |
| 1000+ | 131.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTY1R4N120PHV IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 1.4A; Idm: 3A; 86W, Case: TO252HV, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 13Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 86W, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Gate charge: 24.8nC, Technology: Polar™, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 3A, Mounting: SMD, Reverse recovery time: 900ns, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 1.4A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTY1R4N120PHV
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTY1R4N120PHV | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A 3-Pin(2+Tab) TO-252HV |
товар відсутній |
|
 |
IXTY1R4N120PHV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 1.4A; Idm: 3A; 86W Case: TO252HV Polarisation: unipolar On-state resistance: 13Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 86W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 24.8nC Technology: Polar™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 3A Mounting: SMD Reverse recovery time: 900ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 1.4A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXTY1R4N120PHV | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 |
товар відсутній |
|
|
|
IXTY1R4N120PHV | Виробник : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 1.4A; Idm: 3A; 86W Case: TO252HV Polarisation: unipolar On-state resistance: 13Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 86W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 24.8nC Technology: Polar™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 3A Mounting: SMD Reverse recovery time: 900ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 1.4A |
товар відсутній |