Технічний опис IXXH30N65B4D1 Littelfuse
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Collector current: 30A, Pulsed collector current: 146A, Turn-on time: 65ns, Turn-off time: 206ns, Type of transistor: IGBT, Power dissipation: 230W, Case: TO247-3, Gate charge: 52nC, Technology: GenX4™; Trench; XPT™, Collector-emitter voltage: 650V, Gate-emitter voltage: ±20V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXXH30N65B4D1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
IXXH30N65B4D1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 30A Pulsed collector current: 146A Turn-on time: 65ns Turn-off time: 206ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Gate charge: 52nC Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
IXXH30N65B4D1 | Виробник : IXYS | IGBT Transistors Disc IGBT XPT-GenX4 TO-247AD |
товар відсутній |
||
IXXH30N65B4D1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 30A; 230W; TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Collector current: 30A Pulsed collector current: 146A Turn-on time: 65ns Turn-off time: 206ns Type of transistor: IGBT Power dissipation: 230W Case: TO247-3 Gate charge: 52nC Technology: GenX4™; Trench; XPT™ Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V |
товар відсутній |