IXYH50N65C3H1
у наявності 30 шт:
24 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 490 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IXYH50N65C3H1 за ціною від 428.31 грн до 909.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYH50N65C3H1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 600W Kind of package: tube Gate charge: 80nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 250A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 142ns Type of transistor: IGBT |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXYH50N65C3H1 | Виробник : IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO247-3 Mounting: THT Power dissipation: 600W Kind of package: tube Gate charge: 80nC Technology: GenX3™; Planar; XPT™ Case: TO247-3 Collector-emitter voltage: 650V Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 50A Pulsed collector current: 250A Turn-on time: 56ns Turn-off time: 142ns Type of transistor: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXYH50N65C3H1 | Виробник : IXYS |
Description: IGBT 650V 130A 600W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 120 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 36A Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 22ns/80ns Switching Energy: 1.3mJ (on), 370µJ (off) Test Condition: 400V, 36A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 80 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 130 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 250 A Power - Max: 600 W |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXYH50N65C3H1 | Виробник : IXYS | IGBT Transistors 650V/130A XPTI C3-Class TO-247 |
на замовлення 268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXYH50N65C3H1 | Виробник : Littelfuse | Trans IGBT Chip N-CH 650V 130A 600W 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товар відсутній |
З цим товаром купують
MOC3051M Код товару: 34258 |
Виробник: Fair
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-6
Тип: Оптосимістор
Uізол,kV: 4 kV
Iвх/Iвых,mA: 60/1000 mA
Uвых,V: 600 V
Ton/Toff,µs: 1000/1000 µs
Роб.темп.,°С: -40…+85°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-6
Тип: Оптосимістор
Uізол,kV: 4 kV
Iвх/Iвых,mA: 60/1000 mA
Uвых,V: 600 V
Ton/Toff,µs: 1000/1000 µs
Роб.темп.,°С: -40…+85°C
товар відсутній
470uF 35V ESX 10x20mm (low imp., 5000годинник) (ESX471M35B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 31683 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 10х20mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 35 V
Серія: ESX
Тип: низькоімпедансні з довгим терміном служби
Темп.діап.: -55...+105°C
Габарити: 10х20mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 62 шт
очікується:
3000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7 грн |
10+ | 6.2 грн |
100+ | 5.5 грн |
1000+ | 4.7 грн |
UF5408 Код товару: 27170 |
Виробник: Yangjie/MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 75 ns
у наявності: 1408 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4 грн |
10+ | 3.5 грн |
100+ | 3.1 грн |
1000+ | 2.4 грн |
IR2104SPBF Код товару: 67108 |
Виробник: IR
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 130/270 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
Мікросхеми > Драйвери транзисторів
Корпус: SOIC-8
Uc, V: 600 V
I o +/-, A: 130/270 A
V out, V: 10-20 V
T on/T off, ns: 680/150 ns
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
у наявності: 163 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 68 грн |
10+ | 62.5 грн |