JANTXV1N5822US Microchip / Microsemi
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 8417.37 грн |
| 100+ | 7649.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTXV1N5822US Microchip / Microsemi
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF, Packaging: Bulk, Package / Case: SQ-MELF, B, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: B, SQ-MELF, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A, Grade: Military, Qualification: MIL-PRF-19500/620.
Інші пропозиції JANTXV1N5822US
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
JANTXV1N5822US | Виробник : Microchip Technology |
 Rectifier Diode Schottky 40V 3A 2-Pin E-MELF Bag |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| JANTXV1N5822US | Виробник : MICROSEMI |
B/Schottky Rectifier 1N5822 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
 |
JANTXV1N5822US | Виробник : Microchip Technology |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/620 |
товар відсутній |