JANTXV2N2907AUB Microchip / Microsemi


LDS_0059-1593948.pdf Виробник: Microchip / Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
на замовлення 454 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+545.58 грн
100+ 499.81 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис JANTXV2N2907AUB Microchip / Microsemi

Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/291.

Інші пропозиції JANTXV2N2907AUB

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
JANTXV2N2907AUB JANTXV2N2907AUB Виробник : Microchip Technology lds-0059.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB
товар відсутній
JANTXV2N2907AUB Виробник : MICROSEMI 8896-lds-0059-datasheet UB/PNP TRANSISTOR 2N2907
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
JANTXV2N2907AUB JANTXV2N2907AUB Виробник : Microchip Technology 8896-lds-0059-datasheet Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: UB
Grade: Military
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: MIL-PRF-19500/291
товар відсутній