JANTXV2N2907AUB Microchip / Microsemi
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 545.58 грн |
100+ | 499.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис JANTXV2N2907AUB Microchip / Microsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/291.
Інші пропозиції JANTXV2N2907AUB
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
JANTXV2N2907AUB | Виробник : Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB |
товар відсутній |
||
JANTXV2N2907AUB | Виробник : MICROSEMI |
UB/PNP TRANSISTOR 2N2907 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
JANTXV2N2907AUB | Виробник : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Bulk Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/291 |
товар відсутній |