KSA992FBU ON Semiconductor
на замовлення 9992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1627+ | 7.19 грн |
1682+ | 6.96 грн |
2500+ | 6.75 грн |
5000+ | 6.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSA992FBU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSA992FBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 500 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 430hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції KSA992FBU за ціною від 3.14 грн до 30.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KSA992FBU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 120V 0.05A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 15292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSA992FBU | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 15726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSA992FBU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSA992FBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 50 mA, 500 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 430hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 107146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
KSA992FBU | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 500mW 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
KSA992FBU | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 500mW 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
KSA992FBU | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 0.05A 500mW 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
KSA992FBU | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.05A; 0.5W; TO92 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Current gain: 430...600 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 100MHz |
товар відсутній |