KSC3503DS ON Semiconductor
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 31+ | 18.85 грн |
| 32+ | 18.21 грн |
| 100+ | 16.27 грн |
| 500+ | 14.78 грн |
| 1000+ | 12.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис KSC3503DS ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 7 W.
Інші пропозиції KSC3503DS за ціною від 11.59 грн до 44.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
KSC3503DS | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
KSC3503DS | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 300V 0.1A TO126-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 7 W |
на замовлення 12749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
KSC3503DS | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 13271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
KSC3503DS | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSC3503DS - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 300 V, 100 mA, 7 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 300V rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 7W euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false Übergangsfrequenz: 150MHz rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 100mA |
на замовлення 77 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
KSC3503DS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
KSC3503DS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
KSC3503DS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.1A 7000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Bag |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
| KSC3503DS | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.1A; 7W; TO126ISO Frequency: 150MHz Collector-emitter voltage: 300V Current gain: 60...120 Collector current: 0.1A Pulsed collector current: 0.2A Type of transistor: NPN Power dissipation: 7W Polarisation: bipolar Kind of package: bulk Mounting: THT Case: TO126ISO |
товар відсутній |