KSD363YTU

KSD363YTU onsemi / Fairchild


KSD363_D-2314919.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 899 шт:

термін постачання 112-121 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.9 грн
10+ 58.51 грн
100+ 39.62 грн
500+ 32.96 грн
1000+ 24.77 грн
2500+ 24.44 грн
5000+ 23.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSD363YTU onsemi / Fairchild

Description: TRANS NPN 120V 6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 10MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 40 W.

Інші пропозиції KSD363YTU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
KSD363YTU KSD363YTU Виробник : ON Semiconductor 3677577961717731ksd363.pdf Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
KSD363YTU KSD363YTU Виробник : ON Semiconductor 3677577961717731ksd363.pdf Trans GP BJT NPN 120V 6A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
KSD363YTU KSD363YTU Виробник : onsemi ksd363-d.pdf Description: TRANS NPN 120V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній