LGD15N41ATI LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSECategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 410V; 15A; 107W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 410V
Collector current: 15A
Power dissipation: 107W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±15V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level
Application: automotive industry; ignition systems
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGD15N41ATI LITTELFUSE
Category: SMD IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; 410V; 15A; 107W; DPAK, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 410V, Collector current: 15A, Power dissipation: 107W, Case: DPAK, Gate-emitter voltage: ±15V, Pulsed collector current: 50A, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level, Application: automotive industry; ignition systems, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції LGD15N41ATI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| LGD15N41ATI | Виробник : Littelfuse | IGBT Transistors DPAK, IGBT3 |
товар відсутній |
||
| LGD15N41ATI | Виробник : LITTELFUSE |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 410V; 15A; 107W; DPAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 410V Collector current: 15A Power dissipation: 107W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±15V Pulsed collector current: 50A Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Application: automotive industry; ignition systems |
товар відсутній |