LGE3M30065B LUGUANG ELECTRONIC
Виробник: LUGUANG ELECTRONICCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 64A; Idm: 212A; 326W
Mounting: THT
Drain current: 64A
On-state resistance: 55mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247-3
Power dissipation: 326W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 147nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...20V
Pulsed drain current: 212A
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис LGE3M30065B LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 64A; Idm: 212A; 326W, Mounting: THT, Drain current: 64A, On-state resistance: 55mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Case: TO247-3, Power dissipation: 326W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Gate charge: 147nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -5...20V, Pulsed drain current: 212A, Drain-source voltage: 650V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції LGE3M30065B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| LGE3M30065B | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 64A; Idm: 212A; 326W Mounting: THT Drain current: 64A On-state resistance: 55mΩ Type of transistor: N-MOSFET Case: TO247-3 Power dissipation: 326W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 147nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...20V Pulsed drain current: 212A Drain-source voltage: 650V |
товар відсутній |