MC33153DR2G onsemi
Виробник: onsemiDescription: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 11V ~ 20V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 17ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 3.2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 138643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 268+ | 74.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MC33153DR2G onsemi
Description: ONSEMI - MC33153DR2G - IGBT-Treiber, Low-Side, 2A, 0V bis 15V, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 2A, Treiberkonfiguration: Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 1A, Versorgungsspannung, min.: 0V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Nicht isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 15V, Eingabeverzögerung: 80ns, Ausgabeverzögerung: 120ns, Betriebstemperatur, max.: 105°C.
Інші пропозиції MC33153DR2G за ціною від 63.2 грн до 186.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MC33153DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33153DR2G - IGBT-Treiber, Low-Side, 2A, 0V bis 15V, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 0V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 120ns Betriebstemperatur, max.: 105°C |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MC33153DR2G | Виробник : onsemi |
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 1A Source/2A Sink |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MC33153DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33153DR2G - IGBT-Treiber, Low-Side, 2A, 0V bis 15V, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A Treiberkonfiguration: Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1A Versorgungsspannung, min.: 0V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 15V Eingabeverzögerung: 80ns Ausgabeverzögerung: 120ns Betriebstemperatur, max.: 105°C |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MC33153DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 1-OUT Low Side Half Brdg Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MC33153DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 1-OUT Low Side Half Brdg Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MC33153DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 2A 1-OUT Low Side Half Brdg Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MC33153DR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT gate driver; SO8; -2÷1A; 2÷13.9V; Ch: 1; 11÷20VDC Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Number of channels: 1 Case: SO8 Operating temperature: -40...105°C Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: IGBT gate driver Output current: -2...1A Kind of output: inverting Output voltage: 2...13.9V Pulse fall time: 55ns Protection: over current OCP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP Supply voltage: 11...20V DC Impulse rise time: 55ns кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MC33153DR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 11V ~ 20V Input Type: Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 17ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 3.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MC33153DR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 11V ~ 20V Input Type: Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 17ns, 17ns Channel Type: Single Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 1 Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 3.2V Current - Peak Output (Source, Sink): 1A, 2A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MC33153DR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; IGBT gate driver; SO8; -2÷1A; 2÷13.9V; Ch: 1; 11÷20VDC Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Number of channels: 1 Case: SO8 Operating temperature: -40...105°C Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: IGBT gate driver Output current: -2...1A Kind of output: inverting Output voltage: 2...13.9V Pulse fall time: 55ns Protection: over current OCP; short circuit protection SCP; undervoltage UVP Supply voltage: 11...20V DC Impulse rise time: 55ns |
товар відсутній |