MC34152DR2G onsemi
Виробник: onsemiDescription: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 0°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6.1V ~ 18V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 36ns, 32ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V
Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 48.24 грн |
| 5000+ | 44.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MC34152DR2G onsemi
Description: ONSEMI - MC34152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 1.5A, Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Nicht invertierend, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Quellstrom: 1.5A, Versorgungsspannung, min.: 6.1V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: Nicht isoliert, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 18V, Eingabeverzögerung: 55ns, Ausgabeverzögerung: 40ns, Betriebstemperatur, max.: 70°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MC34152DR2G за ціною від 44.48 грн до 133.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MC34152DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MC34152DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MC34152DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC34152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 6.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 55ns Ausgabeverzögerung: 40ns Betriebstemperatur, max.: 70°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MC34152DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC34152DR2G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MC34152DR2G | Виробник : onsemi |
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual Non-Inverting MOSFET |
на замовлення 8365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MC34152DR2G | Виробник : onsemi |
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 0°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 6.1V ~ 18V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 36ns, 32ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: N-Channel MOSFET Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.6V Current - Peak Output (Source, Sink): 1.5A, 1.5A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 14302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MC34152DR2G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC34152DR2G - MOSFET-Treiber, nicht invertierend, 6.1V-18V Versorgungsspannung, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 1.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: 0°C Quellstrom: 1.5A Versorgungsspannung, min.: 6.1V euEccn: NLR Gate-Treiber: Nicht isoliert Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 18V Eingabeverzögerung: 55ns Ausgabeverzögerung: 40ns Betriebstemperatur, max.: 70°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MC34152DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MC34152DR2G | Виробник : ON Semiconductor |
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MC34152DR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver Mounting: SMD Case: SO8 Supply voltage: 6.1...18V DC Operating temperature: 0...70°C Number of channels: 2 Output voltage: 0.8...11.2V Kind of package: reel; tape Protection: undervoltage UVP Output current: -1.5...1.5A Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 30ns Kind of output: non-inverting кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MC34152DR2G | Виробник : ONSEMI |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET gate driver; SO8; -1.5÷1.5A; 0.8÷11.2V; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver Mounting: SMD Case: SO8 Supply voltage: 6.1...18V DC Operating temperature: 0...70°C Number of channels: 2 Output voltage: 0.8...11.2V Kind of package: reel; tape Protection: undervoltage UVP Output current: -1.5...1.5A Impulse rise time: 30ns Pulse fall time: 30ns Kind of output: non-inverting |
товар відсутній |