Технічний опис MG1006-M11 Microchip Technology
Description: GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC PILL, Packaging: Tray, Package / Case: Stud, Diode Type: PIN - Single, Voltage - Peak Reverse (Max): 10V, Part Status: Active, Current - Max: 700 mA, Power Dissipation (Max): 100 mW.
Інші пропозиції MG1006-M11
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MG1006-M11 | Виробник : Microchip Technology |
 RF and Microwave Diode and Transistor |
товар відсутній |
||
| MG1006-M11 | Виробник : Microchip Technology |
RF and Microwave Diode and Transistor |
товар відсутній |
||
| MG1006-M11 | Виробник : Microchip Technology |
Description: GAAS GUNN EPI DOWN HERMETIC PILL Packaging: Tray Package / Case: Stud Diode Type: PIN - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 10V Part Status: Active Current - Max: 700 mA Power Dissipation (Max): 100 mW |
товар відсутній |
||
| MG1006-M11 | Виробник : Microchip Technology | PIN Diodes GaAs Gunn Epi Down Hermetic Pill |
товар відсутній |