MG12200D-BN2MM

MG12200D-BN2MM Littelfuse Inc.


littelfuse_power_semiconductor_igbt_module_mg12200d_bn2mm_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse Inc.
Description: IGBT MODULE 1200V 290A 1050W D3
на замовлення 8 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+10083.39 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MG12200D-BN2MM Littelfuse Inc.

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A, Case: Y3-DCB, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: Field Stop; Trench, Topology: IGBT half-bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 200A, Pulsed collector current: 400A, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MG12200D-BN2MM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MG12200D-BN2MM MG12200D-BN2MM Виробник : Littelfuse Littelfuse_Power_Semiconductor_IGBT_Module_MG12200-1840016.pdf IGBT Modules 1200V 200A Dual
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MG12200D-BN2MM MG12200D-BN2MM Виробник : Littelfuse 157687100262263157683217432738littelfuse_power_semiductor_igbt_module_mg12200d_bn2mm_datasheet.pdf.pdf.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 290A 1050000mW 7-Pin Package D Bulk
товар відсутній
MG12200D-BN2MM Виробник : IXYS littelfuse_power_semiconductor_igbt_module_mg12200d_bn2mm_datasheet.pdf.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Case: Y3-DCB
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MG12200D-BN2MM Виробник : IXYS littelfuse_power_semiconductor_igbt_module_mg12200d_bn2mm_datasheet.pdf.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A
Case: Y3-DCB
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: Field Stop; Trench
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 200A
Pulsed collector current: 400A
товар відсутній