Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MGSF2N02ELT1G
MGSF2N02ELT1G

MGSF2N02ELT1G ON Semiconductor

mgsf2n02el-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MGSF2N02ELT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MGSF2N02ELT1G за ціною від 6.33 грн до 37.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Виробник : ONSEMI 2353886.pdf Description: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+10.76 грн
500+ 9.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Виробник : ONSEMI 2353886.pdf Description: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.078 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+28.69 грн
35+ 21.96 грн
100+ 10.76 грн
500+ 9.78 грн
Мінімальне замовлення: 27
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Виробник : ONSEMI MGSF2N02EL.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+31.6 грн
26+ 13.46 грн
82+ 9.73 грн
223+ 9.2 грн
Мінімальне замовлення: 12
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Виробник : onsemi MGSF2N02EL_D-2315656.pdf MOSFET NFET SOT23 20V 2.8A 85mOhm
на замовлення 37900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.55 грн
13+ 24.66 грн
100+ 11.85 грн
1000+ 8.26 грн
3000+ 6.66 грн
9000+ 6.39 грн
24000+ 6.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Виробник : ONSEMI MGSF2N02EL.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.92 грн
25+ 16.77 грн
82+ 11.67 грн
223+ 11.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Виробник : onsemi mgsf2n02el-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
товар відсутній
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Виробник : onsemi mgsf2n02el-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
товар відсутній
MGSF2N02ELT1G MGSF2N02ELT1G Виробник : onsemi mgsf2n02el-d.pdf Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
товар відсутній