MHE1003NR3

MHE1003NR3 NXP Semiconductors


597mhe1003n.pdf Виробник: NXP Semiconductors
Trans RF FET N-CH 65V 3-Pin OM-780 EP T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MHE1003NR3 NXP Semiconductors

Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: OM-780-2, Current Rating (Amps): 10µA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 2.4GHz ~ 2.5GHz, Power - Output: 53dBm, Gain: 14.1dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: OM-780-2, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 65 V, Voltage - Test: 28 V, Current - Test: 50 mA.

Інші пропозиції MHE1003NR3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MHE1003NR3 MHE1003NR3 Виробник : NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: OM-780-2
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz ~ 2.5GHz
Power - Output: 53dBm
Gain: 14.1dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: OM-780-2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 50 mA
товар відсутній
MHE1003NR3 Виробник : NXP Semiconductors MHE1003N-1517270.pdf RF MOSFET Transistors RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 2450 MHz, 220 W CW, 26 V
товар відсутній