Інші пропозиції MJ802G за ціною від 245.11 грн до 530.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJ802G | Виробник : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 30A 90V 200W NPN |
на замовлення 856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJ802G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 90V 30A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V Power - Max: 200 W |
на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJ802G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 90V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MJ802G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJ802G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 90 V, 30 A, 200 W, TO-204, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 30A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 90V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 +1 |
MJ802G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 90V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Current gain: 25...100 Mounting: THT Kind of package: in-tray Frequency: 2MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
+1 |
MJ802G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 90V; 30A; 200W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 90V Collector current: 30A Power dissipation: 200W Case: TO3 Current gain: 25...100 Mounting: THT Kind of package: in-tray Frequency: 2MHz |
товар відсутній |