MJB44H11G

MJB44H11G ON Semiconductor


mjb44h11-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+66.22 грн
10+ 59.9 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJB44H11G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції MJB44H11G за ціною від 32.49 грн до 104.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJB44H11G MJB44H11G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+90.42 грн
10+ 75.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJB44H11G MJB44H11G Виробник : onsemi MJB44H11_D-2315689.pdf Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 10251 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.88 грн
10+ 83.48 грн
100+ 57.74 грн
500+ 50.14 грн
1000+ 41.42 грн
3000+ 39.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
MJB44H11G MJB44H11G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MJB44H11G Виробник : ON-Semicoductor mjb44h11-d.pdf NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
MJB44H11G транзистор
Код товару: 58814
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
MJB44H11G MJB44H11G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
товар відсутній
MJB44H11G MJB44H11G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
товар відсутній
MJB44H11G MJB44H11G Виробник : ON Semiconductor mjb44h11-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK Rail
товар відсутній
MJB44H11G MJB44H11G Виробник : onsemi mjb44h11-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
товар відсутній