MJD112G

MJD112G ON Semiconductor


mjd112-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 75
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD112G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 20W, euEccn: NLR, Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK), Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD112G за ціною від 13.62 грн до 62.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+19.82 грн
525+ 16.62 грн
Мінімальне замовлення: 75
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
551+21.24 грн
657+ 17.82 грн
Мінімальне замовлення: 551
MJD112G MJD112G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.33 грн
75+ 34.35 грн
150+ 24.93 грн
525+ 19.55 грн
1050+ 16.64 грн
2025+ 14.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+44.45 грн
15+ 41.29 грн
75+ 20.35 грн
525+ 15.94 грн
1050+ 13.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
264+44.46 грн
534+ 21.91 грн
658+ 17.8 грн
1050+ 16.23 грн
Мінімальне замовлення: 264
MJD112G MJD112G Виробник : onsemi MJD112_D-2315625.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN
на замовлення 12335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+45.64 грн
10+ 42.07 грн
75+ 20.3 грн
525+ 17.89 грн
1050+ 14.62 грн
2475+ 14.55 грн
9900+ 13.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJD112G MJD112G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013276751-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJD112G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+50.25 грн
33+ 23.29 грн
100+ 23.07 грн
500+ 21.14 грн
1000+ 14.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
MJD112G MJD112G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.42 грн
13+ 27.26 грн
25+ 24.41 грн
43+ 18.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD112G MJD112G Виробник : ONSEMI mjd112-d.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 2A; 1.75W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 1.75W
Case: DPAK
Current gain: 100...12000
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.91 грн
8+ 33.97 грн
25+ 29.29 грн
43+ 22.53 грн
118+ 21.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD112G mjd112-d.pdf транзистор npn DPAK
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD112G MJD112G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
товар відсутній