MJD112T4G ON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 17.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD112T4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MJD112T4G за ціною від 14.77 грн до 334.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJD112T4G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJD112T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 9855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD112T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD112T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 4623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MJD112T4G | Виробник : onsemi |
Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power NPN |
на замовлення 23413 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MJD112T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD112T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 9855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| MJD112T4G | Виробник : ONS |
Транз. Бипол. ММ NPN TO-252-3 (DPAK) Uceo=100V; Ic=2A; Pdmax=20W |
на замовлення 8 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| MJD112T4G************* |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| MJD112T4G | Виробник : ON |
|
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| MJD112T4G | Виробник : ON |
09+ |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| MJD112T4G | Виробник : ON |
TO-252 |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| MJD112T4G | Виробник : ST |
TO-252 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
 |
MJD112T4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 2A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
MJD112T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
MJD112T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V Frequency - Transition: 25MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 20 W |
товар відсутній |