Продукція > ONSEMI > MJD117-1G
MJD117-1G

MJD117-1G onsemi

mjd112-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 164661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1113+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 1113
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD117-1G onsemi

Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 25, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

Інші пропозиції MJD117-1G за ціною від 20.14 грн до 65.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD117-1G MJD117-1G Виробник : ONSEMI MJD112-D.PDF Description: ONSEMI - MJD117-1G - Darlington-Transistor, PNP, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 1000
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 25
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+53.44 грн
18+ 41.48 грн
100+ 37.16 грн
Мінімальне замовлення: 14
MJD117-1G MJD117-1G Виробник : onsemi MJD112_D-1773628.pdf Darlington Transistors 2A 100V Bipolar Power PNP
на замовлення 666 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.71 грн
10+ 57.07 грн
75+ 38.76 грн
525+ 30.08 грн
1050+ 21.8 грн
2400+ 21.2 грн
4800+ 20.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD117-1G Виробник : ON mjd112-d.pdf
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD117-1G Виробник : ON mjd112-d.pdf 09+ TQFP
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD117-1G Виробник : ON Semiconductor mjd112-d.pdf
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD117-1G MJD117-1G Виробник : ON Semiconductor 2477mjd112-d.pdf Trans Darlington PNP 100V 2A 1750mW 3-Pin(3+Tab) DPAK-3 Tube
товар відсутній
MJD117-1G MJD117-1G Виробник : onsemi mjd112-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition: 25MHz
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній