MJD243G ON Semiconductor
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 429+ | 27.29 грн |
| 2550+ | 27.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD243G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 40MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MJD243G за ціною від 21.13 грн до 65.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJD243G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD243G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD243G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 100 V, 4 A, 1.4 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 40MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD243G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD243G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD243G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 4A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W |
на замовлення 6458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD243G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 4A 100V 12.5W NPN |
на замовлення 7305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD243G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
MJD243G Код товару: 133000 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
| MJD243G | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |