Продукція > ON > MJD243T4

MJD243T4 ON


mjd243-d.pdf Виробник: ON

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD243T4 ON

Description: TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 12.5 W.

Інші пропозиції MJD243T4

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD243T4 MJD243T4 Виробник : ON Semiconductor mjd243-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 4A 1400mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD243T4 MJD243T4 Виробник : onsemi mjd243-d.pdf Description: TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 12.5 W
товар відсутній