MJD32C-13

MJD32C-13 Diodes Zetex


450116720534047ds31624.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 277500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+13.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD32C-13 Diodes Zetex

Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: TO-252-3, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 15 W.

Інші пропозиції MJD32C-13 за ціною від 10.95 грн до 43.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD32C-13 MJD32C-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31624.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.72 грн
10+ 32.34 грн
100+ 22.48 грн
500+ 16.47 грн
1000+ 13.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD32C-13 MJD32C-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31624.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V 3A PNP SMT
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.46 грн
10+ 36.39 грн
100+ 22.03 грн
500+ 17.22 грн
1000+ 13.95 грн
2500+ 11.28 грн
10000+ 10.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD32C-13 MJD32C-13 Виробник : Diodes Zetex 450116720534047ds31624.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD32C-13 Виробник : Diodes Inc 450116720534047ds31624.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD32C-13 MJD32C-13 Виробник : Diodes Inc 450116720534047ds31624.pdf Trans GP BJT PNP 100V 3A 3900mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD32C-13 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31624.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; DPAK,TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MJD32C-13 MJD32C-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31624.pdf Description: TRANS PNP 100V 3A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 15 W
товар відсутній
MJD32C-13 Виробник : DIODES INCORPORATED ds31624.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; DPAK,TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 3A
Case: DPAK; TO252
Current gain: 10...50
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 3MHz
товар відсутній