MJD42C-QJ

MJD42C-QJ NEXPERIA


3388618.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - MJD42C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 182 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+24.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD42C-QJ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - MJD42C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції MJD42C-QJ за ціною від 11.43 грн до 45.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD42C-QJ MJD42C-QJ Виробник : Nexperia USA Inc. MJD42C-Q.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.65 грн
10+ 30.03 грн
100+ 20.85 грн
500+ 15.28 грн
1000+ 12.42 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD42C-QJ MJD42C-QJ Виробник : Nexperia MJD42C_Q-2498503.pdf Bipolar Transistors - BJT MJD42C-Q/SOT428/DPAK
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.77 грн
10+ 35.44 грн
100+ 22.25 грн
500+ 17.47 грн
1000+ 13.75 грн
2500+ 12.36 грн
10000+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
MJD42C-QJ MJD42C-QJ Виробник : NEXPERIA 3388618.pdf Description: NEXPERIA - MJD42C-QJ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 6 A, 1.6 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 6A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+45.98 грн
20+ 38.38 грн
100+ 24.96 грн
Мінімальне замовлення: 17
MJD42C-QJ MJD42C-QJ Виробник : Nexperia mjd42c-q.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD42C-QJ Виробник : NEXPERIA mjd42c-q.pdf Trans GP BJT PNP 100V 6A 1600mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD42C-QJ MJD42C-QJ Виробник : Nexperia USA Inc. MJD42C-Q.pdf Description: TRANS PNP 100V 6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.6 W
Qualification: AEC-Q100
товар відсутній