MJD44E3T4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 17.87 грн |
5000+ | 16.31 грн |
12500+ | 15.1 грн |
25000+ | 14.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD44E3T4G onsemi
Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 10A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції MJD44E3T4G за ціною від 15.52 грн до 59.46 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MJD44E3T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 4160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MJD44E3T4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 29189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MJD44E3T4G | Виробник : onsemi | Darlington Transistors 10A 80V 20W NPN |
на замовлення 8435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MJD44E3T4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD44E3T4G - Darlington-Transistor, NPN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 1000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 20W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 4160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
MJD44E3T4G******** |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||||
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
MJD44E3T4G (onsemi) Код товару: 194764 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||||
MJD44E3T4G | Виробник : ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 10A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |