MJD47G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 250V 1A DPAK
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 19498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 60.92 грн |
| 10+ | 50.73 грн |
| 100+ | 35.12 грн |
| 500+ | 27.54 грн |
| 1000+ | 23.44 грн |
| 2000+ | 20.88 грн |
| 5000+ | 19.45 грн |
| 10000+ | 18.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJD47G onsemi
Description: ONSEMI - MJD47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MJD47G за ціною від 13.76 грн до 66.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJD47G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 15W NPN |
на замовлення 4820 шт: термін постачання 112-121 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MJD47G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJD47G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 10MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| MJD47G | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD47T4 MJD47T4G MJD47TF MJD47G TMJD47 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
MJD47G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MJD47G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MJD47G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 1A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 1A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...150 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 10MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJD47G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 1A; 15W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 1A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 10...150 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 10MHz |
товар відсутній |