MJE13007G ON Semiconductor
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 84.63 грн |
| 10+ | 68.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE13007G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 14MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MJE13007G за ціною від 32.11 грн до 105.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE13007G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 400V 8A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 14MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 3941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE13007G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN |
на замовлення 5585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE13007G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE13007G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 400 V, 8 A, 80 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 4hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 14MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE13007G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
MJE13007G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
MJE13007G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
MJE13007G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
MJE13007G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 8A; 80W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 8A Power dissipation: 80W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube |
товар відсутній |