MJE18008G ON Semiconductor
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 39.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE18008G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: -mW, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 13MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MJE18008G за ціною від 62.76 грн до 183.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MJE18008G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE18008G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE18008G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 450V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 13MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 125 W |
на замовлення 3442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE18008G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 450V 125W NPN |
на замовлення 4543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
MJE18008G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MJE18008G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 450 V, 8 A, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: -mW Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 450V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 13MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MJE18008G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
MJE18008G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| MJE18008G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 8A 450V MJE18008G MJE18008 TO220AB TMJE18008 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
MJE18008G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
MJE18008G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
MJE18008G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 450V 8A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |