Технічний опис MJE340STU ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO126-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-225AA, TO-126-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V, Supplier Device Package: TO-126-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 20 W.
Інші пропозиції MJE340STU
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MJE340STU | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
товар відсутній |
|
 |
MJE340STU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 300V 0.5A TO126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 20 W |
товар відсутній |
|
| MJE340STU | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||
 |
MJE340STU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
товар відсутній |