MMBF0201NLT1G ON Semiconductor
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBF0201NLT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V, Power Dissipation (Max): 225mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V.
Інші пропозиції MMBF0201NLT1G за ціною від 4.2 грн до 28.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBF0201NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V |
на замовлення 22655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBF0201NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF0201NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.75 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm |
на замовлення 5445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBF0201NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V |
на замовлення 22655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBF0201NLT1G | Виробник : onsemi | MOSFET 20V 300mA N-Channel |
на замовлення 38872 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBF0201NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF0201NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.75 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm |
на замовлення 5445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Tranzystor: N-MOSFET ; unipolarny ; 20V ; 0,24A ; 0,225W ; SOT23 Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 MMBF0201NLT1G TMMBF0201n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBF0201NLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBF0201NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.24A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBF0201NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.24A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |