MMBF2201NT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.38 грн |
| 6000+ | 5.89 грн |
| 9000+ | 5.3 грн |
| 30000+ | 4.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBF2201NT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBF2201NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції MMBF2201NT1G за ціною від 4.87 грн до 29.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBF2201NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF2201NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBF2201NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 10V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 5 V |
на замовлення 45648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBF2201NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET 20V 300mA N-Channel |
на замовлення 44748 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBF2201NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBF2201NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBF2201NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMBF2201NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBF2201NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMBF2201NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 750A Case: SC70; SOT323 Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.24A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.15W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBF2201NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 240mA; Idm: 750A; 150mW Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 750A Case: SC70; SOT323 Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.24A On-state resistance: 1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.15W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |