MMBT2222AM3T5G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: ONSEMI - MMBT2222AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 560440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16000+ | 1.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2222AM3T5G ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2222AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції MMBT2222AM3T5G за ціною від 1.51 грн до 16.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBT2222AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2222AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2222AM3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 640 mW |
на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2222AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2222AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2222AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 7095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2222AM3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 640 mW |
на замовлення 57787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2222AM3T5G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT-723 GP TRANSISTOR |
на замовлення 31346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2222AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2222AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 7095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2222AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBT2222AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBT2222AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 2640 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
MMBT2222AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
MMBT2222AM3T5G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товар відсутній |