MMBT2222ATT1G ON Semiconductor
на замовлення 13005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8153+ | 1.44 грн |
| 8380+ | 1.4 грн |
| 10000+ | 1.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMBT2222ATT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції MMBT2222ATT1G за ціною від 1.47 грн до 14.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBT2222ATT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT2222ATT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT2222ATT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 13915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT2222ATT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 2236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT2222ATT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BJT SS SC75 GP XSTR NPN 40V |
на замовлення 94112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT2222ATT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2222ATT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 40 V, 600 mA, 150 mW, SOT-416 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 13915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT2222ATT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SC75 SOT416 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 2236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT2222ATT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMBT2222ATT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-416 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
MMBT2222ATT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT416 Mounting: SMD Case: SOT416 Kind of package: reel; tape Current gain: 30...300 Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Collector current: 0.6A Collector-emitter voltage: 40V Frequency: 300MHz Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT2222ATT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT416 Mounting: SMD Case: SOT416 Kind of package: reel; tape Current gain: 30...300 Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Collector current: 0.6A Collector-emitter voltage: 40V Frequency: 300MHz Type of transistor: NPN |
товар відсутній |